责编:陈凯欣
2025-05-08
近日,中国科学技术大学的研究团队在高性能纯红光钙钛矿LED研发领域取得重要突破。
该研究团队通过自主研发的电激发瞬态吸收光谱技术(EETA),深入解析了制约纯红光钙钛矿LED性能的关键因素。这一创新性技术能够实时监测LED内部电子和空穴的行为,为解决亮度与效率之间的矛盾提供了新的思路。
研究人员发现,在提升LED亮度的过程中,空穴会异常泄漏至电子传输层,导致性能显著下降。针对这一问题,团队提出了三维钙钛矿异质结的新结构设计。通过在钙钛矿晶格中引入有机分子,改变了发光层的晶体结构,并构建了能够有效阻挡空穴外泄的能量壁垒。
基于这一创新性材料结构,研究团队成功开发出性能优异的纯红光钙钛矿LED器件,其峰值外量子效率(EQE)达到24.2%,与当前顶级OLED水平相当。此外,该LED的最大亮度高达24600坎德拉/平方米,较前代产品提升了三倍。
更重要的是,这一新型LED器件在高亮度运行时仍保持了极低的效率衰减特性。当亮度达到22670坎德拉/平方米时,其外量子效率仍超过10%。这些突破性成果为钙钛矿LED的实际应用奠定了坚实基础。
该研究于5月7日发表在国际顶级期刊《自然》杂志上,展示了我国在新型显示技术领域的最新进展。